图纸上左下角数据栏写着圆筒式等离子处理系统。
自从上次他们告诉凌世哲电耦合等离子体刻蚀系统无法短时间搞出来后，凌世哲这些天查了好多资料，终于找出了一套替代方案。
半导体历史上对硅片的刻蚀在77年以前都是采用的化学湿法腐蚀技术工艺，这种技术是利用乙酸或h2o缓冲的hf/hno3溶液与薄膜建所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分来到达刻蚀目的，这种刻蚀方法又叫湿法刻蚀技术，是一种纯化学刻蚀。
后来随着半导体技术的进步，湿法刻蚀技术走到了镜头，开始进入干法刻蚀。它不使用液体，是利用等离子体或高能粒子束轰击的方式来对晶元进行刻蚀。
桶式刻蚀机是最早的刻蚀机，也是最简单的刻蚀机。凌世哲设计得圆筒式刻蚀系统是在桶式刻蚀机上改进而来的，它采用一款通用的真空处理舱及机箱，是一款满足等离子去胶，清除浮渣，各向同性和各向同性蚀，采用高模块化装配设计、多功能真空舱体－电极设计、结构紧凑，具有自动化工艺程序的等离子体刻蚀设备。
凌世哲就是要用这个套装置来代替icp刻蚀机，这套系统的刻蚀尺寸极限是0.5微米；按照现在的半导体技术发展速度，这套设备使用达到极限后，icp刻蚀机已经完全可以进入使用阶段了，到时候就可以跟圆筒式刻蚀机进行交接，把它替换下来。
这样他就不需要像原先的历史那样，频繁的更换刻蚀机。这是他苦思了很久才想出来的一套解决方案。
良久以后，凌世哲问道：“如何，以现在的科技能不能把它造出来？”
邱明与众人互相看了看，点了点头，说道：“设计上没什么问题，只需要花些时间做几个试验找出最佳的数据值，明年三月份以前就可以定型投入使用了。”
要明年才能出来，凌世哲显然对这个进度不满意，说道：“给你们三个月时间能不能搞出来？”
卡姆摇头说道：“很难，明年三月份都不一定能够做出来，boss你看，你得这套系统是全自动化的，数控系统的开发就要花许多时间，如果要明年三月份出来，这还是在没有重**ug的情况下，如果有重**ug，就不知道要花多少时间了。”
卡姆这么一说凌世哲突然想到历史上的mk 数控机床，这台机床是美国斯皮舍尔公司在七十年代末推出的，开发时间整整用了十年，然后隔了多少年来着，时间太过久远凌世哲也记不住了，反正就是发现这台机床有重大问题，经过检验发现问题出在软件上，斯皮舍尔公司花了几年时间都没有找出里面的bug，后来一直到了90年代才把这个bug给找出来，它隐藏之深可见一斑；可惜的是这台机床的bug不止一处，而是好几处，全都是重大的bug，直达90年代末才全部解决。不过那个时候斯皮舍尔公司早已经成为了历史。
软件出现问题要解决起来相当的麻烦，软件故障问题能否顺利的解决，全部取决于你能否第一时间找出里面的bug，如果你不能在最短的时间内找到，那么你就惨了，特别是重**ug，你就怎么都解决不了。找出了bug你才能解决问题，找不出你就洗白。
&应该不会出现这个问题，软件出现这种问题一般都是内核结构设计上的不合理，其次是在程序编写上有着严重失误才会造成。你们看，bopu芯片是i构架，硬件的设计上也没有任何问题，这样软件的内核结构在设计上会简单许多，排除了重**ug缺陷的可能，只要程序员在编写时不出现重大的失误，严重bug的可能就可以排除掉，就算有些小bug也不会有什么影响。另外，我建议使用j*业版编程语言来编写它的程序，java优势是适合团队开发，软件工程可以相对做到规范，可以用来开发可靠的、要求严格的应用程序，这是一个很难比拟的优势。这样可以最大限度的防止严重bug的出现，我们可以采用分组编写的方式来编写软件代码，这样可以节约很多时间，软件编写完成后，在用程序检测软件来检测它是否有漏洞，特别是重大漏洞。”安布雷拉公司的一名软件工程师反驳道。
&构架的程序编写量非常的庞大，我们的程序员完全不够啊！”卡姆说道。
&们可以找那些学生来编写，只要程序上面不出现大问题，我们就可以在明年三月份之前完成。之后嘛，只需把软件优化升级就行了。”王海华回答道。
大家你一言，我一言，计划慢慢的完善起来，最后终于确定方案后，克里斯托弗对凌世哲说道：“boss，我们没法在三个月以后拿出来，明年三月份拿出来，是最快得速度了，在快就会影响到那些学生的正常上课了，这套系统最花时间的就是程序的编写和反复的修改，i构架，它虽然不复杂，但编写程序的工作量且非常的庞大。”
凌世哲点了点头，看来他还是急躁了，想早点把圆筒式刻蚀机用上去，湿法刻蚀工艺芯片厂先暂时用这吧，它的极限是4—5微米，还早呢。
讨论完了以后，大家都